关于13003三极管参数的相关内容如下：
13003的管脚和参数
1003三极管参数数握差据:
MJE13003三极管是一种高
背压
大功率
开关三极管
，主要用于节能灯和
荧光灯
的电子镇流器。它属于硅NPN型，采用TO-126，MJE13003封装。
b细胞灶李增多
三极管的形状和引脚段辩皮排列如下:
 
MJE13003三极管主要参数集电极-
基极
电压VCBO700v集电极-发射极电压VCEO400v发射极-基极电压VEBO9v集电极电流IC2.0A
集电极功耗PC40w最大工作温度Tj150°C存储温度Tstg-65-150°C
集电极-基极截止电流ICBO(VCB=700伏)100微安
集电极-发射极截止电流ICEO(VCE=400V，IB=0)250uA集电极-发射极电压VCEO(IC=10mA，IB=0)400v
13003是什么三极管
13003为中功率NPN型晶体管,主要作为电源开关管用。
NPN晶体管是晶体管的一种，当
基极
b点电位高于发射极e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而集电极C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
扩展资料
制造工艺设计
1、首先在ATHENA中定义0.8um*1.0um的硅区域作为基底，掺杂为均匀的砷杂质，浓度为2.0e16/cm3，然后在基底上注入能量为18ev，浓度为4.5e15/cm3的掺杂杂质硼，退火，淀积一层厚度为0.3um的
多晶硅
，
淀积过后，马上进行多晶硅掺杂，掺杂为能量50ev，浓度7.5e15/cm3的砷杂质，接着进行多晶硅栅的刻蚀（刻蚀位置在0.2um处）此时形成N++型杂质（发射区）。
刻蚀后进行多晶氧化，由于氧化是在一脊并个图形化（即非平面）以及没有损伤的启野磨多晶上进行的，所以使用的模型将会是fermi以及compress，进行氧化工艺步骤时分别在干氧和氮的气氛下进行退火，接着进行离子注入
注入能量18ev，浓悄斗度2.5e13/cm3的杂质硼，随后进行侧墙氧化层淀积并进行刻蚀，再一次注入硼，能量30ev，浓度1.0e15/cm3，形成P+杂质（基区）并作一次镜像处理即可形成完整NPN结构，最后淀积铝电极。
参考资料来源：
百度百科-NPN型晶体管
